صفحه 11 از مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	-
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS msi

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	-
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	410 گرم
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	سازگار با پلی‌استیشن 5 مک OS ایکس ویندوز 10
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS لکسار

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	9 گرم
کنترلر (Controller)	-	DM620
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	5.4 گرم
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	-
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	660 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,200,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS توین موس

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	-
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	-
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS PNY

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	6.6 گرم
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری	-	AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	3.9 گرم
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	-
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	11 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,600,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	11.5 W
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	20 گرم
کنترلر (Controller)	-	Phison E13T
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS سیگیت

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	700 (TBW) ترابایت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)	47 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه