صفحه 13 از مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96L TLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT Phison E13T
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT MAP1202
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول 7 گرم 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
رنگ‌بندی - آبی

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT SMI
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND NAND Flash
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT SMI SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND NAND Flash
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.5 وات در حالت فعال

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit