صفحه 12 از مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS ام جی

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	9 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	3.9 گرم
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS msi

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	7 گرم	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS ام جی

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	42 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	11 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,600,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	11.5 W
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS لکسار

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	DM620
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	9 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	45 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	Samsung Phoenix Controller
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	31 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی	-	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
نشانگر وضعیت LED	-	true
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1250 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه