صفحه 8 از مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	RoHS
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS ام جی

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

کلو VS لکسار

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Micron 3D QLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	DM928
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	336 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, VCCI,RCM
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت / 1.6 آمپر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS مایکروسافت

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

کلو VS ترنسند

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	MLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	70,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کلو VS بلو

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	4.8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	82,000ّIOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

کلو VS توشیبا

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	2175 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS سیلیکون پاور

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

کلو VS سیلیکون پاور

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه