صفحه 6 از مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	81,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90.000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	51 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS PNY

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	7500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	6850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)
وزن محصول	45 گرم	45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	320,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

کلو VS سیلیکون پاور

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	SLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS سیلیکون پاور

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	25,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS وسترن دیجیتال

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	540,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS وسترن دیجیتال

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	85,000ّIOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Native SAS 3.0
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	100 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	45 گرم	160 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه