صفحه 5 از مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	3D BiCS TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	6.9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS کیوکسیا

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	3D BiCS TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۷ گرم	6.9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS کیوکسیا

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	3D BiCS TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	6.9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کیوکسیا VS سامسونگ

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.9 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

کیوکسیا VS لنوو

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.9 گرم	۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

کیوکسیا VS سامسونگ

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	6.9 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کیوکسیا VS سامسونگ

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.9 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

کیوکسیا VS Samsung

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.9 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کیوکسیا VS Samsung

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.9 گرم	8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کیوکسیا VS Samsung

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.9 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

کیوکسیا VS مایکروسافت

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	6.9 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

کیوکسیا VS سیلیکون پاور

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.9 وات * حالت فعال ** 5 تا 50 میلی‌وات * حالت استندبای	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.9 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه