مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول	۴۱ گرم	تقریباً 8.0 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	M.2 2280
نوع کاربری حافظه	اینترنال	SSD داخلی
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 NVMe
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
حافظه DRAM	-	بله
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	بله
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	بله
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
فناوری رمزنگاری	-	رمزگذاری AES 256 بیتی
رنگ‌بندی	-	سیاه
محتویات جعبه	-	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه	-	فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی	-	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500

KingSpec VS کینگستون

ویژگی		اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	-
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	-
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۴۱ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	-
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	M.2 2280
وزن محصول	۴۱ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	M.2 2280
نوع کاربری حافظه	اینترنال	حافظه فلش NAND
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
شیوه اتصال	-	NVMe
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller)	-	کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی	-	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
فناوری رمزنگاری	-
محتویات جعبه	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
طراحی و ابعاد دستگاه	-	فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی	-	کارآمد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

کینگستون VS Sandisk

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۱ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-
شیوه اتصال	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-
قابلیت‌های جانبی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500

Crucial VS کینگستون

ویژگی		اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	-
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان ظرفیت حافظه	-	۹۶۰ گیگابایت
طول عمر متوسط	-	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۴۱ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۴۱ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۱ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۴۱ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۱ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۱ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

کینگستون VS لنوو

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	-
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۱ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500با اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

کینگستون VS فیلیپس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کینگستون Q500	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۲۴۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۱ گرم	۳۸.۲ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه