صفحه 4 از مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

فناوری رمزنگاری Yes No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS ۴۷۵۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۹۹۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
وزن محصول - ۹۲.۳۴ گرم

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

فناوری رمزنگاری Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS ۹۹۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم ۹۲.۳۴ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۹۹۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۹۲.۳۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 1,550,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
حافظه DRAM - true
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم ۶.۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

فناوری رمزنگاری Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS ۹۹۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۴ گرم ۹۲.۳۴ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 1000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم 9.7 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC450Rبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC450R

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۵ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۹۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹۲.۳۴ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false