صفحه 7 از مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	240 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	SLC NAND

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	3.84 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	-
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	160 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
کنترلر (Controller)	-	Native SAS 3.0
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	240 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	-
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	25,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	-
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	320,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS ایکس انرژی

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

کینگستون VS توین موس

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	-
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	155 مگابایت بر ثانیه
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک OS نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
رنگ‌بندی	-	خاکستری، رزگلد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

کینگستون VS تروبایت

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	120 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	-
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	240 (TBW) ترابایت	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه