صفحه 9 از مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 100,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر -
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
رنگ‌بندی - خاکستری، رزگلد

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 1000,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.5 W حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256bit