صفحه 11 از مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	SLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	70 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Metis Controller
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption (Class 0)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS ام جی

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگ مکس VS توشیبا

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	2175 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگ مکس VS ام جی

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2258
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

کینگ مکس VS تروبایت

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	8.5 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگ مکس VS ترنسند

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگ مکس VS توشیبا

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	8.5 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

کینگ مکس VS توین موس

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	74,240IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	8.5 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس VS وسترن دیجیتال

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	540,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	WD NVMe Architecture
نوع حافظه DRAM	-	SK Hynix DDR4
میزان توان مصرفی	-	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

کینگ مکس VS ویکومن

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 560 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	55 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه