صفحه 8 از مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال 135399
نوع کاربری حافظه	اینترنال	درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	کنترلر اصلی با کیفیت بالا
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	بله
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	بله
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	NVMe Gen3x4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتویات جعبه	-	SSD، مستندات

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه Fujitsu S26361-F4522-L321 internal solid state driveبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فوجیتسو VS کینگ مکس

ویژگی	Fujitsu S26361-F4522-L321 internal solid state drive	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳۲۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	PCI Express	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	-	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال فوجیستو مدل S26361-F5673-L240با کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فوجیتسو VS کینگ مکس

ویژگی	SSD اینترنال فوجیستو مدل S26361-F5673-L240	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	512 MB
اندازه و ابعاد	۳.۵"	22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
وزن محصول	-	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اینترنال فوجیستو S26361-F4581-L100با کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فوجیتسو VS کینگ مکس

ویژگی	حافظه SSD اینترنال فوجیستو S26361-F4581-L100	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۰۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
اندازه و ابعاد	۲.۵"	22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
وزن محصول	-	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کورپارتس SSDM1TI359با کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کورپارتس VS کینگ مکس

ویژگی	SSD اینترنال کورپارتس SSDM1TI359	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
وزن محصول	۱۰۰ گرم	10 گرم
اندازه و ابعاد	۱۲۰ * ۴۰ * ۱۰۰ میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت آبیبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

آی‌استوریج VS کینگ مکس

ویژگی	حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت آبی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	آبی	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	10 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

کینگ مکس VS سی‌گیت

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	سفید

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 2 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

آی‌استوریج VS کینگ مکس

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 2 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۷۵ مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۷۵ مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium, Rubber	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۵ گرم	10 گرم
اندازه و ابعاد	۴ * ۱۰.۵ * ۱.۵ میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Trade Agreements Act (TAA)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS کینگ مکس

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
طول عمر متوسط	۴۸۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Plastic	-
رنگ‌بندی	سفید	-
وزن محصول	۵۶ گرم	10 گرم
اندازه و ابعاد	۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی

کینگ مکس VS ورباتیم

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Orange
مواد بدنه	-	Polycarbonate (PC)
فناوری رمزنگاری	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۴۰.۶ میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال Verbatim Store 'n' Go 256 گیگابایت USB 3.2 Gen 1

کینگ مکس VS ورباتیم

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اکسترنال Verbatim Store 'n' Go 256 گیگابایت USB 3.2 Gen 1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	۹۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه