صفحه 14 از مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 SMI
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 1000,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 SMI
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR3L
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 DM620
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND SLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 59,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال 1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 880 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, REACH, RoHS
مواد بدنه - آلومینیوم
محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)
میزان توان مصرفی 3.75 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر