صفحه 6 از مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Intel 96L QLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1925 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	10 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
میزان توان مصرفی	-	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3L	512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	51 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

Intel VS PNY

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3L	2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Crucial VS Intel

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Intel 96L QLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1925 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
میزان توان مصرفی	-	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	350,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3L	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3L	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Intel VS سیلیکون پاور

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Intel VS زاداک

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	3D TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Native SAS 3.0
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	10 گرم	160 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3L	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 96L QLC	Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	Samsung Metis Controller
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1925 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit Encryption (Class 0)
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	70 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه