صفحه 14 از مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

در این صفحه 5 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 750,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانیتگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES یا 256 بیت AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
اندازه و ابعاد - 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانیتگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES یا 256 بیت AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
اندازه و ابعاد - 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 13.4 گرم

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 290,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانیتگراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES یا 256 بیت -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
اندازه و ابعاد - 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانیتگراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES یا 256 بیت -
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
اندازه و ابعاد - 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول - 31 گرم
محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانیتگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES یا 256 بیت AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم