صفحه 10 از مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	-	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	10 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	-	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	1000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	-	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS لکسار

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول	-	40.6 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS PNY

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 128-bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
اندازه و ابعاد	-	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	6.6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS سیگیت

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت

اچ پی VS KingSpec

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول	-	41 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS PNY

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	880 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز ** مک
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, REACH, RoHS
مواد بدنه	-	آلومینیوم
اندازه و ابعاد	-	10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
محتویات جعبه	-	1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال پشتیبانی از کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی Read Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	134,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	34,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	5.46 وات * حالت خواندن ** 5.87 وات * حالت نوشتن ** 2.26 وات * حالت آماده باش	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	62 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه