صفحه 7 از مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Micron 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN DM928
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 168 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, VCCI,RCM
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 390,000IOPS 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 380,000IOPS 282,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 512MBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر ویندوز
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 25,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 120,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویندوز 7، 8، 10 ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه استاندارهای FCC , CE , ROHS
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND MLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 70,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 57 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت