صفحه 5 از مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM RoHS
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS اچ پی
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 5.4 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول - 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS اچ پی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 5.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۱۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی - 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول - 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 256 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 282,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس ویندوز
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit