صفحه 13 از مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 282,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مقایسه ازگارد AN2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ازگارد AN2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید ویندوز
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول - 5.4 گرم

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Kioxia 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Phison E13T
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 290,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 260,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 320 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle 2.38 وات * حالت فعال ** 0.38 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویندوز نسخه 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت سرتاسری داده‌ها (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, RoHS
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96-Layer 3D TLC NAND Intel 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 Silicon Motion SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 740,000IOPS 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 740,000IOPS 282,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
اندازه و ابعاد 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک) 5.4 گرم
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ T7 Touch USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ T7 Touch USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.10 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر ** کنسول‌های بازی
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه دارای حسگر اثر انگشت ** نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, RoHS2
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 8.0 * 57 * 85 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 58 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مواد بدنه - آلومینیوم
رنگ‌بندی - مشکی، نقره‌ای
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 750,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 3600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 4200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 850,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 900 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle حداکثر 5.1 وات هنگام استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ای دیتا SE730H USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SE730H USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Intel 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2080 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ** ان*وید ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP68 ** استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
رنگ‌بندی طلایی، تیتانیوم -
اندازه و ابعاد 12.2 * 44 * 72.7 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 33 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 193,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 282,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 1,550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 1,200,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 1 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle 7.8 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 2080 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 193,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 282,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت رم Micron DDR3-1600 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.29 وات * حالت فعال ** 0.67 وات * حالت Idle حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false