صفحه 2 از مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۷.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۱۶۰
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۲.۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۷.۶۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۵۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۱۵۱.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۳۲۰
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

هایک ویژن VS آی‌استوریج

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۳۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۱۴۶.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

هایک ویژن VS لنوو

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۷.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

هایک ویژن VS اچ پی

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۱۶۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	-	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۹۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۷۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	۳۵۰۴
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۶۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه