صفحه 4 از مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 63,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 72,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر لرزش
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال 135398

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
فناوری رمزنگاری -
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 45 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 63,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 72,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر لرزش
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 256 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 63,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 72,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر لرزش
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 45 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 63,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 72,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر لرزش
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V