صفحه 16 از مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 2 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS 480,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM620