1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

هایک ویژن VS کلیو
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۱۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

هایک ویژن VS سی‌گیت
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2280 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 7 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2280 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 7 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۷.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

دِل VS هایک ویژن
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 256 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 2280 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS ۴۷۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2280 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 7 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

هایک ویژن VS سی‌گیت
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

هایک ویژن VS اچ پی
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2280 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۳۴.۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محتویات جعبه - HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices
مشاهده جزئیات مقایسه