صفحه 15 از مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - 68 گرم

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65 فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS -
مواد بدنه پلاستیک -
رنگ‌بندی مشکی، آبی، سبز -
اندازه و ابعاد 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 52 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - NAND Flash
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 430,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
رنگ‌بندی مشکی، آبی، طوسی -
اندازه و ابعاد 13 * 59 * 88 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 98 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - NAND Flash
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 430,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
وزن محصول - 31 گرم
محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول - 60 گرم

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC NAND Flash
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 430,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND NAND Flash
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2267EN -
نرخ خواندن ترتیبی 3800 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 191,000IOPS 295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 510,000IOPS 430,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC -
اندازه و ابعاد 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک) -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND NAND Flash
کنترلر (Controller) DM620 -
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 256,000IOPS 430,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle