صفحه 12 از مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	RoHS
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	S4LV003

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS msi

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

GIGABYTE VS msi

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	1000,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
وزن محصول	-	9.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

GIGABYTE VS msi

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
وزن محصول	-	9.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

GIGABYTE VS msi

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

GIGABYTE VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
وزن محصول	-	3.9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

GIGABYTE VS msi

ویژگی	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	1,600,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
وزن محصول	-	11 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	308,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	332,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD Tool box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, UKCA, KC, EAC	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison E13T
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه