مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 Yes
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND ۳D TLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان ظرفیت حافظه - ۱ ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۷۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۷۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۸۵۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
طول عمر متوسط ۸۵۰ نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
فناوری رمزنگاری No رمزگذاری AES 256 بیتی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
حافظه DRAM - بله
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis Controller
قابلیت پشتیبانی از NCQ - بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
وزن محصول - تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۸۵۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) M.2 2280
فناوری رمزنگاری No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - کارآمد

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes NVMe Gen3x4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۸۵۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) M.2 2280
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
کنترلر (Controller) - کنترلر اصلی با کیفیت بالا
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
قابلیت‌های جانبی - تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
محتویات جعبه - SSD، مستندات
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 700,000IOPS
طول عمر متوسط ۸۵۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری No AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
میزان توان مصرفی - حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
وزن محصول - 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط ۸۵۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۸۵۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) -
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 180,000IOPS
طول عمر متوسط ۸۵۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط ۸۵۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
وزن محصول - 10 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 950,000IOPS
طول عمر متوسط ۸۵۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۸۵۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TBبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال گیگابایت مدل GP-AG41TB

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۵۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۸۵۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۵ * ۲۳.۵ * ۱۱.۴ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
فناوری رمزنگاری No Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS