صفحه 4 از مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۲ گرم	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.۲
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۴۰۰۰۰ IOPS
وزن محصول	-	۹ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

GIGABYTE VS گیگابایت

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۷۰۰
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۶۰۰
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

دِل VS GIGABYTE

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	500 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	QLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

GIGABYTE VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۵۰
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

GIGABYTE VS کینگستون

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۶۰
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۲.۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

GIGABYTE VS کینگستون

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰۰ IOPS
وزن محصول	-	۱۴۶.۲ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه