صفحه 2 از مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	2 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی	-	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

فوجیتسو VS msi

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	500 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی	-	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فوجیتسو VS کینگ مکس

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	512 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
وزن محصول	-	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	4 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

فوجیتسو VS لنوو

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۱۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۷۰ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فوجیتسو VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	256 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	-
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	-	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

فوجیتسو VS لنوو

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

دِل VS فوجیتسو

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۱.۶ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	۲.۵"
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SAS
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

فوجیتسو VS کینگستون

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۵.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۱۴۶.۲ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

دِل VS فوجیتسو

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۱.۶ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	۲.۵"
پورت اتصال حافظه	SAS	SAS
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160

برند نامشخص VS فوجیتسو

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SAS
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	۲.۵"
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160با گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

فوجیتسو VS GIGABYTE

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5320-L160	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	128 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	-	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	180,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه