صفحه 6 از مقایسه اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO$

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	V-NAND MLC
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe$

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	TLC
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.۲
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
نرخ خواندن ترتیبی	-	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۴۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO$

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	V-NAND MLC
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۸ گرم

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886$

دِل VS لنوو

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت$

دِل VS کینگستون

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	۳D NAND
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
نرخ خواندن ترتیبی	-	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۶۴۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۲.۸ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO$

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل 400-ANMN	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	V-NAND MLC
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۸ گرم