صفحه 5 از مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Crucial
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 20 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E13T
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۳۲۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم ۲.۸ گرم

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم ۸ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم ۱۴ گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC -
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم ۹ گرم

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۵۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC -
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 20 گرم -
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 7.7 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 46 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E13T
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true