صفحه 15 از مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC NAND Flash
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC -
کنترلر (Controller) Phison E13T -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4
میزان توان مصرفی - 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی - دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 62 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90.000IOPS
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 62 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 10 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
میزان توان مصرفی - 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 950,000IOPS
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T MAP1202
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول 20 گرم 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
رنگ‌بندی - آبی
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T SMI SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 7 گرم
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE RoHS
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 9 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 5.4 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB Micron DDR3
میزان توان مصرفی - 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false