صفحه 4 از مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Corsair VS سی‌گیت

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۹۵۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۴۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.۲
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

Corsair VS گیگابایت

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۷۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

Corsair VS کینگستون

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

Corsair VS اچ پی

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
اندازه و ابعاد	-	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	-	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

Corsair VS کینگستون

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۱۴۶.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 5.0 x4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۵ گرم	30 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاومت در برابر شوک
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

Corsair VS کینگستون

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	۷.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

Corsair VS گیگابایت

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۷۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP700 PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 5.0 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	12400 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	11800 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاومت در برابر شوک	-
وزن محصول	30 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه