صفحه 8 از مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	4950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	4250 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	680,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	2GB LP DDR3

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Corsair VS KingSpec

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Corsair VS سابرنت

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	260 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	10 * 80 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Corsair VS PNY

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 128-bit
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS Corsair

ویژگی	ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	4950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	4250 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 35 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, KC, EAC, RoHS	-
رنگ‌بندی	مشکی، سفید	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر	15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	680,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
طول عمر متوسط	-	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit Encryption (Class 0)
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	70 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Metis Controller
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4250 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه