صفحه 13 از مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار VS Samsung

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	LPDDR4
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	true	-
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS msi

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

بایواستار VS GIGABYTE

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	true	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS توین موس

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

بایواستار VS msi

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	2 MB DDR4
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

بایواستار VS Samsung

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	2GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

بایواستار VS Samsung

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	4 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS GIGABYTE

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	true	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار VS کینگ مکس

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

بایواستار VS کلو

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	8 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	true	-
طول عمر متوسط	-	350 (TBW) ترابایت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

بایواستار VS msi

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه