صفحه 15 از مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	E18	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.6 و بالاتر انوید * کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ASUS VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	E18	SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.6 و بالاتر انوید * کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	E18	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.6 و بالاتر انوید * کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ASUS VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.6 و بالاتر انوید * کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	13.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ASUS VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.6 و بالاتر انوید * کروم OS	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	31 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller)	E18	Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.6 و بالاتر انوید * کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller)	E18	Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.6 و بالاتر انوید * کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش

مشاهده جزئیات مقایسه