صفحه 5 از مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

ای دیتا VS برند نامشخص

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	۳D NAND
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	۷.۵ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

ای دیتا VS کینگستون

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	۴۸۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	CE, RoHS
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

ای دیتا VS دِل

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	۲.۵"
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

ای دیتا VS برند نامشخص

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	۳D NAND
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	۷.۵ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای‌دیتا VS ای دیتا

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Micron 96-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	740,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	740,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	۱۲ گرم	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	InnoGrit IG5236
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	-
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا VS سیلیکون پاور

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	8 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ای دیتا VS سیلیکون پاور

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	46 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مواد بدنه	-	پلاستیک
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	20 گرم
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا VS کینگ مکس

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	10 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه