صفحه 16 از مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung Phoenix Controller
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 480,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) RTS5766DL DM620
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) RTS5766DL SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 290,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) RTS5766DL SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 290,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 11 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR3L
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) RTS5766DL -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 13.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) RTS5766DL -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 13 * 59 * 88 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 98 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما