مقایسه ماینر

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S19 95Th

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S19 95Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2020/05
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	195 در 290 در 400 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	14.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	95Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	3250 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	14.77 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بیت مین انت ماینرر S19 Pro 110Th با اینوسیلیکون T2 Turbo

بیت مین VS اینوسیلیکون

ویژگی	بیت مین انت ماینرر S19 Pro 110Th	اینوسیلیکون T2 Turbo
تاریخ عرضه رسمی	2020/05	2018/08
اتصالات موجود	ایترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-40 درجه‌ی سانتیگراد	0-85 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	-	9 آمپر
اندازه و ابعاد	195 در 290 در 370 میلی‌متر	150 در 180 در 400 میلی‌متر
وزن محصول	13 کیلوگرم	7.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	110Th/s	24Th/s
میزان توان مصرفی	3250 وات	1980 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	10 نانومتر
مدل تراشه	-	FinFET
مقدار ولتاژ	12 وولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	14.77 آمپر	-
میزان نویز	75 دسی‌بل	72 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با میکرو بی تی واتس ماینر M20S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	میکرو بی تی واتس ماینر M20S
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	130 در 220 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	68Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	3360 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	12 نانومتری
مدل تراشه	FinFET	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	15.27 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/12
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	11 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	73Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	2920 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	13.27 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر T17e 53Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/11
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	11.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	53Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	2915 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	13.25 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	80 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر T17+ 64Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر T17+ 64Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/12
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	10 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	64Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	3200 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	14.54 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	135 در 158 در 350 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	4.2 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	13.5Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	1310 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	189
مدل تراشه	FinFET	BM1387
مقدار ولتاژ	12 ولت	11.60-13.00 ولت
میزان جریان مصرفی	-	5.95 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S17 56Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S17 56Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/04
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	178 در 296 در 298 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	9.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	2520 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	7 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	144
مدل تراشه	FinFET	BM1397
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	11.45 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	82 ئسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2018/11
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	176 در 221 در 279 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	6.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	20.5Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	1530 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	6.95 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با ایبنگ Ebit E12 PLUS

اینوسیلیکون VS ایبنگ

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	ایبنگ Ebit E12 PLUS
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	215 در 196 در 310 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	10.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	50Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	2500 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 لت
میزان جریان مصرفی	-	11.36 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با میکرو بی تی واتس ماینرM21

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	میکرو بی تی واتس ماینرM21
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	200 در 300 در 440 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	7.15 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	31Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	1860 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	12 نانومتری
مدل تراشه	FinFET	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	8.45 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1980 وات	3360 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	12 نانومتر
مدل تراشه	FinFET	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	15.27 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه