صفحه 6 از مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) DM928 SMI
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 336 (TBW) ترابایت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر -
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
نرخ نوشتن ترتیبی - 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT SMI
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 7 * 95 * 125 میلی‌متر -
وزن محصول 70 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris SMI
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی درگاه اختصاصی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 5 * 76 * 139 میلی‌متر -
وزن محصول 68 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر -
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,200,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
وزن محصول 660 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 256 (TBW) ترابایت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر -
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
نرخ نوشتن ترتیبی - 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D MLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر -
وزن محصول 41 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6000 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر -
وزن محصول 47 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3900 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4300 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت