صفحه 6 از مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1,800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام جی VS ام جی

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	60,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال پشتیبانی از کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ام جی VS وسترن دیجیتال

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	6600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	1200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	1100,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	1200 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	پشتیبانی از ویندوز 8.1 به بالا
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	سازگار با PlayStation® 5 ** نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	5.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS ام جی

ویژگی	هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS ام جی

ویژگی	بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Marvell 88NV1120	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	36 گرم	6 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه آیگو P2000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

آیگو VS ام جی

ویژگی	آیگو P2000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1400 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.6 و بالاتر	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5 گرم	6 گرم
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ام جی

ویژگی	ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	630,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** سازگار با مابوردهای اینتل و AMD * پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	10.65 * 23.2 * 80.6 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	36.6 گرم (با هیت سینک) ** 7.3 گرم (بدون هیت سینک)	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS ام جی

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
میزان ظرفیت حافظه	8 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
اندازه و ابعاد	17 * 40 * 95 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

دلتا VS ام جی

ویژگی	ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E16	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	4975 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3975 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	بهینه سازی مصرف انرژی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, FCC, CE	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 GS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Corsair VS ام جی

ویژگی	کورسیر MP600 GS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 4.1 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
وزن محصول	340 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ام جی

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 1,600 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	47.5 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه