صفحه 11 از مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	300 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	72,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از SLC Cache مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	6.7 * 70 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام جی VS توین موس

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	2 وات * حالت فعال ** 3 وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگ مکس VS ام جی

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	6 گرم
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ام جی VS ایکس انرژی

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS بلو

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	BiCS3 64Layer WD 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 ×69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	59.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	2.85 وات * حالت خواندن ** 4.40 وات * حالت نوشتن 70 میلی‌وات به صورت میانگین 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS ام جی

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L TLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E13T	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1150 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	12 گرم	6 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSTFS31256GTND SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

GIGABYTE VS ام جی

ویژگی	گیگابایت GP-GSTFS31256GTND SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.24 وات * حالت خواندن ** 2.61 وات * حالت نوشتن ** 0.17 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD Tool Box	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS وسترن دیجیتال

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	BiCS4 96L TLC
کنترلر (Controller)	Phison E12	WD_BLACK G2
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	5300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	720,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	600 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 8.8 * 23.4 * 80.2 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	6 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
میزان توان مصرفی	-	5 میلی‌وات در حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0A NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام جی VS بلو

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0A NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	82,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	34.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	1.8 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن 50 میلی‌وات به صورت میانگین 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
رنگ‌بندی	-	آبی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.9 وات * حالت خواندن ** 2.7 وات * حالت نوشتن ** 1.05 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک ان*وید	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه ** قابل نگهداری و استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 *صد	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
اندازه و ابعاد	10 * 53.9 * 79.1 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45.4 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite

مشاهده جزئیات مقایسه