صفحه 11 از مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام جی VS وریتی

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز XP و بالاتر مک OS لینوکس
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS ام جی

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2600 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T7 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ T7 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS X نسخه 10.10 و بالاتر انوید 5.0 و بالاتر * کنسول‌های بازی	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	قابلیت کنترل دمای حافظه ** نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, RoHS2	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
رنگ‌بندی	خاکستری تیره، آبی، قرمز	-
اندازه و ابعاد	8 * 57 * 85 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	58 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS بلو

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	BiCS3 64Layer WD 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 ×69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	59.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	2.85 وات * حالت خواندن ** 4.40 وات * حالت نوشتن 70 میلی‌وات به صورت میانگین 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS ام جی

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1750 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	6 گرم
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSTFS31256GTND SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS ام جی

ویژگی	گیگابایت GP-GSTFS31256GTND SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.24 وات * حالت خواندن ** 2.61 وات * حالت نوشتن ** 0.17 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD Tool Box	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS وسترن دیجیتال

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	BiCS4 96L TLC
کنترلر (Controller)	Phison E12	WD_BLACK G2
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	5300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	720,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	600 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 8.8 * 23.4 * 80.2 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	6 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
میزان توان مصرفی	-	5 میلی‌وات در حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

msi VS ام جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	630,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 4.1 وات هنگام استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0A NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام جی VS بلو

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0A NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	82,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	34.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	1.8 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن 50 میلی‌وات به صورت میانگین 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
رنگ‌بندی	-	آبی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	370 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	12,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.9 وات * حالت خواندن ** 2.7 وات * حالت نوشتن ** 1.05 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک ان*وید	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه ** قابل نگهداری و استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 *صد	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
اندازه و ابعاد	10 * 53.9 * 79.1 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45.4 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پلکستور VS ام جی

ویژگی	پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1093	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1400 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	280,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	240,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR3	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 2 آمپر	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,400,000 ساعت (MTBF) ** 768 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر ** لینوکس	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, CE, BSMI, VCCI, RCM, KCC, EAC, ROHS, WHQL	-
اندازه و ابعاد	3.65 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه