صفحه 8 از مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت VS ام جی

ویژگی	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	7250 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
اندازه و ابعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	47 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100.000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	51 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100.000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90.000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS ام جی

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار VS ام جی

ویژگی	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D QLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	DM928	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1.6 آمپر	3.3 ولت
طول عمر متوسط	168 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI,RCM	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Crucial VS ام جی

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	7 * 95 * 125 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار VS ام جی

ویژگی	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	40.6 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND TLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Metis Controller	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	93,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit Encryption (Class 0)	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS ام جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه