1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فیلیپس VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گیگابایت VS سیلیکون پاور
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

دِل VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 2 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سی‌گیت VS سیلیکون پاور
ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۵۰ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سی‌گیت VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۹۵۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲۰۵ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

دِل VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 2 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12S
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه