1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۱۲ V
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۲۰۵ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۳ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فیلیپس VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶۹ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 8 گرم -
مشاهده جزئیات مقایسه