صفحه 76 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	37.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 52 میلی‌وات در حالت فعال - 2.05 وات در حالت خواندن - 3.35 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت Slumber - 5 تا 7 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	85,000ّIOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTTF) - 350 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	SanDisk BiCS3 64L TLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Marvell 88SS1074

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با وسترن دیجیتال WD_BLACK D30 Game Drive ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال WD_BLACK D30 Game Drive ظرفیت 2 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10 و بالاتر - پلی‌استیشن 4 و پلی‌استیشن 4 پرو - پلی‌استیشن 5 - ایکس‌باکس وان - ایکس‌باکس سری X و S
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	- با استند : 45.9 × 60.5 × 96 میلی‌متر - بدون استند : 35 × 58 × 96 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	- با استند : 137 گرم - بدون استند : 125 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	-
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ایکس انرژی

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر حداکثر 16G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سن‌دیسک VS سامسونگ

ویژگی	سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.95 × 100.5 ميلي‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	59 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk MLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	535 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	445 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با پاتریوت P220 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS پاتریوت

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	پاتریوت P220 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE،FCC،RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	100 × 133 × 178 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	50 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	40,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	50,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	60 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	62 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 2.2 وات در حالت خواندن و نوشتن - 40 میلی‌وات در حالت آماده باش - 7 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	90.000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 4800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	4 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Samsung MJX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS اچ پی

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6ms
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	6.7 × 70 × 100 میلی‌متر
مواد بدنه	-	آلومینیوم
وزن محصول	8 گرم	50 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	50,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	71,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	240 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 GS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 GS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 درصد و دمای 40 درجه	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	340 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 4.1 وات هنگام استفاده	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4800 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN, CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6.5 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- حداکثر 3.5 وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت استندبای
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	165,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	160,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,700,000 ساعت (MTTF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	SanDisk 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	WD Architecture

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6.5 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- حداکثر 90 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت استندبای
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTTF) - 900 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانیتگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	37.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 52 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.25 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 7 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	81,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه