صفحه 25 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	BiCS4 96L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	WD_BLACK G2
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	5300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	720,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 8.8 * 23.4 * 80.2 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	8 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

داهوا VS Samsung

ویژگی	داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 50 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 1.195 وات هنگام استفاده ** 415 میلی‌وات * حالت استندبای	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 0.5G لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از SLC Cache	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100.2 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	40 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	64 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	415 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	95 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,200,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.5 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک آلومینیومی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار SSD ToolBox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
اندازه و ابعاد	15 * 25.2 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS2280P4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Acer VS Samsung

ویژگی	اپیسر AS2280P4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	420,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 4 وات هنگام استفاده ** 70 میلی‌وات * حالت استندبای	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	40,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	47.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2260	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار SSD ToolBox نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	561 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	523 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	82,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	81,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 500 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	HP Custom SMI SM2263XT	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.52 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه