صفحه 5 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت مشکیبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت مشکی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	62 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۷۵ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۷۵ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۵۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium, Rubber	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۵ گرم	62 گرم
اندازه و ابعاد	۴۰ * ۱۰۵ * ۱۵ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Trade Agreements Act (TAA)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال گودرام SSDR-GMRE-01T-K0با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

گودرم VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال گودرام SSDR-GMRE-01T-K0	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۳۲ * ۹ * ۷۵ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۸ گرم	62 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال ای دیتا SD620با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ای‌دیتا VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال ای دیتا SD620	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	5 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۵۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه	Silicone	-
رنگ‌بندی	قرمز	-
وزن محصول	۵۴.۹ گرم	62 گرم
اندازه و ابعاد	۸۰ * ۱۵.۲ * ۸۰ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	5 ولت
طول عمر متوسط	۴۸۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Plastic	-
رنگ‌بندی	سفید	-
وزن محصول	۵۶ گرم	62 گرم
اندازه و ابعاد	۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2230
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUSبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ایسوس VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUS	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۵۵.۶ * ۱۱۶.۲ * ۱۵.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۵۵ گرم	62 گرم
پورت اتصال حافظه	USB ۳.۲ Gen ۲x۲	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	5 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه	Aluminium, Silicone	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	102 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
محتویات جعبه	-	کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	RTS5766DL	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش سازگار با مابوردهای اینتل و AMD * پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	3.13 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم (با هیت سینک) ** 6.2 گرم (بدون هیت سینک)	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3470 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	515,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	560,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی XTG-200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی XTG-200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC/QLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک لینوکس	-
مواد بدنه	فلز	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه