صفحه 4 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 2 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 2 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۶ گرم 62 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Zinc -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت مشکی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت مشکی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 62 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اکسترنال iStorage Kanguru U3-2HDWP-1TS 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال iStorage Kanguru U3-2HDWP-1TS 1 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۱۲۵ * ۷۵ * ۱۰ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۲۲۷ گرم 62 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۱۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۹۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۵۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 5 ولت
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 62 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 62 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Blue, White
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۴۰.۶ میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم ۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 5 ولت
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 62 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول 62 گرم ۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - طوسی
مواد بدنه - Plastic

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 62 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Blue, White
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Metal, Plastic -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۴۴.۸ گرم 62 گرم
اندازه و ابعاد ۳۲.۶ * ۶۹.۵ * ۱۳.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 (۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر)
وزن محصول 62 گرم ۳۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مواد بدنه - Plastic