1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷۰ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

دِل VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 2 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

دِل VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 2 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فیلیپس VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای‌دیتا VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 2 ترابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم 8 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, KCC, TUV, RoHS, FCC, VCCI, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه